学部・大学院区分
Undergraduate / Graduate
工・博前
時間割コード
Registration Code
2822708
科目区分【日本語】
Course Category
専門科目
科目区分【英語】
Course Category
Specialized Courses
科目名 【日本語】
Course Title
結晶デバイス工学特別実験及び演習B
科目名 【英語】
Course Title
Experimental Research and Exercises on Solid-State Device Science B
コースナンバリングコード
Course Numbering Code
担当教員 【日本語】
Instructor
中塚 理 ○ 黒澤 昌志 柴山 茂久 坂下 満男
担当教員 【英語】
Instructor
NAKATSUKA Osamu ○ KUROSAWA Masashi SHIBAYAMA Shigehisa SAKASHITA Mitsuo
単位数
Credits
2
開講期・開講時間帯
Term / Day / Period
秋集中 その他 その他
Intensive(Fall) Other Other
授業形態
Course style
実験及び演習
学科・専攻【日本語】
Department / Program
物質科学専攻
学科・専攻【英語】
Department / Program
Department of Materials Physics
必修・選択【日本語】
Required / Selected
必修・選択【英語】
Required / Selected


授業の目的 【日本語】
Goals of the Course(JPN)
ナノスケール構造の半導体デバイスにおける電子輸送や半導体表面・界面で発現する諸現象に対する基礎的事項の理解を深めると共に、得られた結果を応用、展開して、新しいナノスケール構造の半導体デバイスや次世代のプロセス技術を開発するために必要な基礎的手法を修得する。
達成目標:
1. 実験から得られたデータについて解析および調査ができる。
2. 総合的な分析を踏まえて、さらなる独創的な研究を組み立てられる。
授業の目的 【英語】
Goals of the Course
To acquire basic techniques necessary for developing a semiconductor device of novel nanoscale structure and next generation process technology by deepening an understanding of basic matters concerning electron transport in semiconductor devices of nanoscale structure and various phenomena appearing on semiconductor surface and interface and applying and developing the obtained results.
Achievement goal
1. Analyzing and examining data from the experiment
2. Building up further creative research based on comprehensive analysis
到達目標 【日本語】
Objectives of the Course(JPN))
ナノスケール構造の半導体デバイスにおける電子輸送や半導体表面・界面で発現する諸現象に対する基礎的事項の理解を深めると共に、得られた結果を応用、展開して、新しいナノスケール構造の半導体デバイスや次世代のプロセス技術を開発するために必要な基礎的手法を修得する。
達成目標:
1. 実験から得られたデータについて解析および調査ができる。
2. 総合的な分析を踏まえて、さらなる独創的な研究を組み立てられる。
到達目標 【英語】
Objectives of the Course
To acquire basic techniques necessary for developing a semiconductor device of novel nanoscale structure and next generation process technology by deepening an understanding of basic matters concerning electron transport in semiconductor devices of nanoscale structure and various phenomena appearing on semiconductor surface and interface and applying and developing the obtained results.
Achievement goal
1. Analyzing and examining data from the experiment
2. Building up further creative research based on comprehensive analysis
バックグラウンドとなる科目【日本語】
Prerequisite Subjects
物性物理学、物理計測工学、電磁気学、電子工学
バックグラウンドとなる科目【英語】
Prerequisite Subjects
Solid-state physics, Physical measurement engineering, Electromagnetism, Electronics
授業の内容【日本語】
Course Content
1.ナノスケールデバイスにおける電子輸送現象
2.薄膜成長における表面反応
3.ヘテロ構造界面における結晶学的構造と電気的特性
4.半導体表面構造と電子状態
5.表面反応プロセス制御と薄膜成長
6.半導体結晶の超微細加工とデバイス試作
7.半導体表面電子状態の原子スケール計測

実験・演習の前後において適切な文献調査、読解、整理に務めること。実験終了後は研究討論に向けて、事前のデータ解析、考察を行うこと。
授業の内容【英語】
Course Content
1. Electron Transport Phenomena in Nano-Scale Devices
2. Surface Reaction in Thin Film Growth
3. Crystalline Structure and Electrical Properties in Hetero-Interface
4. Surface Structure and Electronic State of Semiconductor
5. Control of Surface Reaction and thi film growth
6. Micro/nano-processing of semiconductor crystal and device fabrication
7. Atomic-scale analyses of semiconductor surface electronic states

Engage in appropriate literature research, reading and organizing before and after experiments and exercises. After the experiment, the data should be analyzed and discussed in advance for the research discussion.
成績評価の方法と基準【日本語】
Course Evaluation Method and Criteria
1. 研究討論における説明および質疑応答により、目標達成度を評価する。関連研究に関する参考文献を収集し、理解する、適切なデータ分析と説明資料を準備するなど、幅広い学習に心がけること。
2. 継続的に実習を続け、目的に向けた適切な実験、データ分析、考察を行い、説明および議論することができれば合格とする。難易度の高い課題に積極的に取り組み、より優れた考察や質疑を行うことができれば、その水準に応じて成績に反映させる。
成績評価の方法と基準【英語】
Course Evaluation Method and Criteria
1. Evaluating through explanation and Q&A properly during research discussions. A wide range of studies should be undertaken, including the collection and understanding of relevant research references and preparing appropriate data analysis and explanatory material.
2. When they continue to practice, conduct appropriate experiments, data analysis, observations, explanations, and discussions for their objectives, it is judged pass. When they can actively tackle difficult issues and conduct better discussions and Q&A, they will reflect the results according to their level.
履修条件・注意事項【日本語】
Course Prerequisites / Notes
履修条件は要さない。授業は対面・遠隔(オンデマンド型)の併用で行う。遠隔授業の詳細はNUCTで通知する。教員への質問は、NUCT 機能「メッセージ」により行うこと。授業に関する受講学生間の意見交換は、NUCT機能「メッセージ」により行うこと。
履修条件・注意事項【英語】
Course Prerequisites / Notes
No requirement for taking the course.
教科書【日本語】
Textbook
必要に応じて紹介する。
教科書【英語】
Textbook
Text books will be specified with progress.
参考書【日本語】
Reference Book
必要に応じて紹介する。
参考書【英語】
Reference Book
Reference books will be specified with progress.
授業時間外学習の指示【日本語】
Self-directed Learning Outside Course Hours
授業時間外学習の指示【英語】
Self-directed Learning Outside Course Hours
使用言語【英語】
Language used
使用言語【日本語】
Language used
授業開講形態等【日本語】
Lecture format, etc.
授業開講形態等【英語】
Lecture format, etc.
遠隔授業(オンデマンド型)で行う場合の追加措置【日本語】
Additional measures for remote class (on-demand class)
遠隔授業(オンデマンド型)で行う場合の追加措置【英語】
Additional measures for remote class (on-demand class)