学部・大学院区分
Undergraduate / Graduate		工・博後
時間割コード
Registration Code		4842362
科目区分【日本語】
Course Category
専門科目
科目区分【英語】
Course Category
Specialized Courses
科目名　【日本語】
Course Title		先端デバイスセミナー2B
科目名　【英語】
Course Title		Seminar on Advanced Devices 2B
コースナンバリングコード
Course Numbering Code
担当教員　【日本語】
Instructor		須田 淳 ○ 堀田 昌宏
担当教員　【英語】
Instructor		SUDA Jun ○ HORITA Masahiro
単位数
Credits		2
開講期・開講時間帯
Term / Day / Period		秋集中 その他 その他
Intensive(Fall) Other Other
授業形態
Course style		セミナ－
Seminar
学科・専攻【日本語】
Department / Program
電子工学専攻
学科・専攻【英語】
Department / Program
Department of Electronics
必修・選択【日本語】
Required / Selected
選択
必修・選択【英語】
Required / Selected
Elective


授業の目的　【日本語】
Goals of the Course(JPN)
半導体パワーデバイスの理工学に関するテキスト，文献を選び輪講する。
到達目標：半導体基礎物性および半導体デバイス動作原理を理解し，説明できるようになる．
授業の目的　【英語】
Goals of the Course
Textbooks and papers will be read intensively in turn to understand science and engineering of semiconductor power devices.
After successfully completing this seminar, student will be able to lecture the fundamental properties of semiconductors and the functions of semiconductor devices.
到達目標　【日本語】
Objectives of the Course(JPN))
半導体パワーデバイスの理工学に関するテキスト，文献を選び輪講する。
到達目標：半導体基礎物性および半導体デバイス動作原理を理解し，説明できるようになる．
到達目標　【英語】
Objectives of the Course
Textbooks and papers will be read intensively in turn to understand science and engineering of semiconductor power devices.
After successfully completing this seminar, student will be able to lecture the fundamental properties of semiconductors and the functions of semiconductor devices.
バックグラウンドとなる科目【日本語】
Prerequisite Subjects
学部レベルおよび大学院博士課程前期レベルの電磁気学，固体物性論，半導体物性，半導体工学，半導体デバイス．
バックグラウンドとなる科目【英語】
Prerequisite Subjects
Electromagnetics, Solid State Physics, Semiconductor Physics, Semiconductor Engineering and Semiconductor Devices for undergraduate students and master-course students.
授業の内容【日本語】
Course Content
縦型パワーMOSFETの基本構造，基本設計技術．

テキストにて各回で取り扱う箇所をよく予習しておくこと．
授業の内容【英語】
Course Content
Fundamentals of vertical power MOSFETs including opitimization of device structures.
成績評価の方法と基準【日本語】
Course Evaluation Method and Criteria
レポート，プレゼンテーション内容，議論への参加を総合判断する．
半導体物性やデバイスの基礎ついて理解し，分かりやすく説明できれば合格とし，
最新の文献を取り上げ，より高度な内容を取り扱うことができれば，成績に反映する．
成績評価の方法と基準【英語】
Course Evaluation Method and Criteria
In addition to attendance rate, evaluations based on reports and oral presentation including Q&A will be made for overall rating.
履修条件・注意事項【日本語】
Course Prerequisites / Notes
履修条件は要さない．
履修条件・注意事項【英語】
Course Prerequisites / Notes
No requirement for attending this course.
教科書【日本語】
Textbook
B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices
教科書【英語】
Textbook
B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices
参考書【日本語】
Reference Book
授業内で必要に応じて紹介する．
参考書【英語】
Reference Book
授業時間外学習の指示【日本語】
Self-directed Learning Outside Course Hours
授業時間外学習の指示【英語】
Self-directed Learning Outside Course Hours
使用言語【英語】
Language used
Japanese
使用言語【日本語】
Language used
日本語
授業開講形態等【日本語】
Lecture format, etc.
対面式
授業開講形態等【英語】
Lecture format, etc.
in-person
遠隔授業（オンデマンド型）で行う場合の追加措置【日本語】
Additional measures for remote class (on-demand class)
遠隔授業（オンデマンド型）で行う場合の追加措置【英語】
Additional measures for remote class (on-demand class)